Высокочистые эпитаксиальные слои твердых растворов Cd-Hg-Te для изготовления ИК-фотодиодных линеек и матриц
ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА CdxHg1-xTe ДЛЯ КРУПНОФОРМАТНЫХ МАТРИЧНЫХ ИК-ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ, ПОЛУЧЕННЫЕ ГАЗОФАЗНЫМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ПАРОВ МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ

Эпитаксиальные слои высокочистого CdxHg1-xTe на подложках из полуизолирующего GaAs.
​
  • состав: x = {0,18-0,4}
  • толщина слоев: 3-15 мкм
  • полуширина кривой качания рентгеновской дифракции: 2-4 угл. мин.
  • тип проводимости: p-тип
  • концентрация и подвижность носителей заряда при 77 K: (0,8-5)·1016 см-3
  • площадь активного слоя: 250-400 см2/В·с
  • разброс состава по площади, не более:2-4 см2